标题Lithium niobate semiconductor structure and manufacturing method thereof
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2020年12月28日
申请号US17/771351
公开(公告)日2025年7月1日
专利类型授权发明
发明人ZHANG, GUOQUAN | QIAN, YUEZHAO | ZHANG, YUCHEN | XU, JINGJUN
受理局美国
当前申请人(专利权)地址NO. 94 WEIJIN ROAD, NANKAI DISTRICT, 300071, TIANJIN, CHINA
IPC分类号H10N30/853 | H10N30/01
国民经济行业分类号-
代理机构-
代理人-
