标题一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2023年11月7日
申请号CN202311467491.6
公开(公告)日2025年12月2日
专利类型授权发明
发明人吴金雄 | 王兵 | 何育彧
受理局中国
当前申请人(专利权)地址300350 天津市津南区海河教育园同砚路38号 (天津,天津,津南区)
IPC分类号C23C16/40 | B82Y40/00 | H01L21/02 | B82Y30/00
国民经济行业分类号C3569 | C3563 | C3562 | C3099
代理机构天津耀达律师事务所
代理人邵洪军
