标题一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2025年8月21日
申请号CN202511173785.7
公开(公告)日2026年1月6日
专利类型发明申请
发明人吴金雄 | 杨明健 | 何育彧 | 吕尊贤
受理局中国
当前申请人(专利权)地址300350 天津市津南区海河教育园同砚路38号 (天津,天津,津南区)
IPC分类号H10D64/01 | H10D64/68 | H10D1/68
国民经济行业分类号-
代理机构天津耀达律师事务所
代理人邵洪军
