标题一种硒化铋纳米级裂缝的可控合成方法及所得硒化铋纳米片的应用
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2025年8月26日
申请号CN202511196119.5
公开(公告)日2026年1月13日
专利类型发明申请
发明人吴金雄 | 陈婉莹 | 何育彧
受理局中国
当前申请人(专利权)地址300350 天津市津南区海河教育园同砚路38号 (天津,天津,津南区)
IPC分类号C01B19/04 | C30B25/00 | C30B29/46 | C30B29/64 | C30B29/68 | B82Y40/00 | B82Y30/00 | H10D30/00
国民经济行业分类号C2611 | C3521 | C2619
代理机构天津耀达律师事务所
代理人邵洪军
