标题石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2024年8月23日
申请号CN202411162670.3
公开(公告)日2026年3月3日
专利类型发明申请
发明人徐文涛 | 王文博 | 陈家欣 | 黄长水
受理局中国
当前申请人(专利权)地址300350 天津市津南区海河教育园区同砚路38号 (天津,天津,津南区)
IPC分类号H10D64/68 | H10D30/67 | H10D30/01 | B82Y10/00 | B82Y40/00
国民经济行业分类号-
代理机构-
代理人-
