标题用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法
[标]当前申请(专利权)人南开大学
申请日2025年11月10日
申请号CN202511630619.5
公开(公告)日2026年3月3日
专利类型授权发明
发明人陈颖 | 姜琳楠 | 贺苏杭 | 贾传成 | 郭雪峰
受理局中国
当前申请人(专利权)地址300071 天津市南开区卫津路94号 (天津,天津,南开区)
IPC分类号H10N70/00 | C08G83/00 | H10N70/20
国民经济行业分类号-
代理机构天津展誉专利代理有限公司
代理人王振波
